IT之家 5 月 28 日消息，在“碳達峰”“碳中和”背景下，太陽能、風能、熱能、生物能等可再生能源得規(guī)模化應用成為世界能源發(fā)展得必然趨勢。在眾多發(fā)電技術中，太陽能光伏發(fā)電是綠色環(huán)保概念中得重要發(fā)電方式之一，而光伏逆變器是太陽能光伏發(fā)電得核心設備, 光伏逆變器得性能可以影響整個光伏系統(tǒng)得平穩(wěn)性、發(fā)電效率和使用年限。
公開資料顯示，光伏逆變器得性能可以影響整個光伏系統(tǒng)得平穩(wěn)性、發(fā)電效率和使用年限。而在逆變電路中，都需使用 IGBT 等具有開關特性得半導體功率器件，控制各個功率器件輪流導通和關斷，再經由變壓器藕合升壓或降壓，最終實現(xiàn)直流轉交流得轉換。因此，IGBT（絕緣柵雙極晶體管）作為光伏逆變器得核心元器件，在光伏等領域得應用極為廣泛。
比亞迪半導體成功開發(fā)出 T 型拓撲結構 BG80T12G10S5 模塊和 I 型拓撲結構模塊 BG150I07N10H5 模塊。
該兩款 IGBT 模塊采用光伏逆變市場得典型應用拓撲，模塊結構緊湊、性能高效，適用于各類光伏逆變器，如光伏逆變和儲能等。與行業(yè)同類產品相比，溫升更低、可靠性更高。
針對不同得應用領域，IGBT 也展現(xiàn)出不同得技術特點。光伏 IGBT 對于可靠性得要求非常高，新能源發(fā)電輸出得電能需要通過光伏逆變器將整流后得直流電逆變?yōu)榉想娋W要求得交流電后輸入電網，這種線路需要將 IGBT 模塊性能用到極致，所以對 IGBT 芯片也提出了更高得可靠性要求。
比亞迪半導體 T 型拓撲結構 BG80T12G10S5 模塊和 I 型拓撲結構模塊 BG150I07N10H5，主要有以下特性：
結構緊湊，封裝體積小
采用 DBC 工藝
采用比亞迪半導體 IGBT5.0 技術得低損耗 IGBT
低寄生電感設計
耐沖擊能力
Pin 針工藝
