前幾篇文章中有講述到把薄膜電容的自愈性是與制造工藝有關的，本文要跟大家講述的是外施電壓和外界壓力的關系會對薄膜電容的自愈發(fā)生什么影響嗎？一起跟著小編的進度了解下！
外施電壓對薄膜電容自愈性的影響：為了實現(xiàn)自愈須在圍統(tǒng)擊穿點處有一定的量作用形成去掉金屬的固開區(qū)城，但如釋放的量太多，臨近的介質就會遭受破壞而引起新的擊穿，如此發(fā)展下去就會導致介質反復擊穿從而使擊穿點處介質燒灼結和自愈失效。可見為了獲得足夠的自愈暈區(qū)并使臨近的介質不致受到損傷，自愈放電量須拉制在一定的范圍內。自愈區(qū)耗散的量是影響自愈性能的一個重要參數(shù)。
外界壓力關系自愈釋放的量與壓力有很大關系。自愈點壓力提高絕緣容易恢復，形成的自愈暈區(qū)半徑就小，釋放的量相應地也減小。解剖加過試驗電壓的電容器時可以看到在薄膜電容器外層卷統(tǒng)較松的地方自愈暈區(qū)較大，而內層卷繞得較緊，是區(qū)較小。一般外層暈區(qū)比內層暈區(qū)的約大2~10倍。
薄膜電容的自愈是指是在一定的條件下實現(xiàn)的，超過一定的限度薄膜電容器就會喪失自愈性能。在設計與試驗薄膜電容器時應盡可能保證條件下進行，即介質擊穿時引的脈沖電流小，釋放的量小，從而使鄰近擊穿點處介質的損傷也小從電容器結構上來考慮，小元件極板長度、增加極板寬度對自愈是有利的。
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