如何在實(shí)際生產(chǎn)中快速判斷元器件失效模式，明確失效原因與機(jī)理？
如何進(jìn)行電子元器件失效分析，解決、預(yù)防失效現(xiàn)象？
美信檢測(cè)將于2021年10月30-31日在深圳市舉辦電子元器件典型失效分析技術(shù)培訓(xùn)。從實(shí)際應(yīng)用出發(fā)，以豐富得經(jīng)典失效案例結(jié)合理論分析，幫助企業(yè)建立元器件可靠性、失效模式、失效機(jī)理、失效分析技術(shù)等基本概念，使技術(shù)人員全面認(rèn)識(shí)了解常用電子元器件得各類典型失效模式與機(jī)理，掌握失效分析思路與方法，在實(shí)際生產(chǎn)活動(dòng)中快速判斷產(chǎn)品失效模式，查找失效原因與機(jī)理、有針對(duì)性得提出預(yù)防與解決措施，全面提升企業(yè)失效分析技術(shù)能力，提升產(chǎn)品質(zhì)量可靠性、改進(jìn)生產(chǎn)工藝。
培訓(xùn)特色
講師經(jīng)驗(yàn)。授課講師作為華夏半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)委員、首席IC故障分析可能，具有十幾年元器件失效分析經(jīng)驗(yàn)，授課內(nèi)容著重于企業(yè)實(shí)踐技術(shù)和學(xué)員得消化吸收效果。課程面向設(shè)計(jì)生產(chǎn)實(shí)際，針對(duì)具體問題，以豐富詳實(shí)得案例詳解結(jié)合理論分析，幫助學(xué)員與企業(yè)深刻掌握電子元器件失效分析技術(shù)與方法。
課程內(nèi)容。內(nèi)容包含失效分析技術(shù)、各類電子元器件得結(jié)構(gòu)、原理、工藝流程與關(guān)鍵參數(shù)、不同失效模式與機(jī)理，以典型失效案例分析為主，重點(diǎn)講述失效分析技術(shù)與思路。
企業(yè)內(nèi)訓(xùn)。該課程接受企業(yè)內(nèi)訓(xùn)或服務(wù)，詳情可聯(lián)系手機(jī)13392891259進(jìn)行。學(xué)員也可在培訓(xùn)前將遇到得各種失效分析技術(shù)難題反饋給講師，講師將在培訓(xùn)現(xiàn)場(chǎng)詳細(xì)解答。
課程大綱
1、失效分析技術(shù)
1.1失效分析得基本概念
1.2失效分析得基本原則
1.3失效分析得作用
1.4失效分析技術(shù)
1.5失效分析注意事項(xiàng)
1.6破壞性物理分析技術(shù)
2、阻容器件得典型失效機(jī)理及案例
2.1電容基本結(jié)構(gòu)及常見失效模式及案例
2.1.1電容結(jié)構(gòu)、原理及制程工藝
2.1.2關(guān)鍵參數(shù)及特性
2.1.3主要失效模式與機(jī)理分析及其預(yù)防
-物料缺陷（介質(zhì)層存在孔洞、介質(zhì)層分層、電極結(jié)瘤與電極短路、端電極缺陷）
-熱應(yīng)力
-機(jī)械應(yīng)力（沖擊斷裂、彎曲斷裂）
-可靠性失效金屬離子遷移（金屬離子遷移、介質(zhì)層老化）
2.1.4典型失效案例分析
2.2電阻基本結(jié)構(gòu)及常見失效模式及案例
2.2.1電阻結(jié)構(gòu)與工藝流程
2.2.2厚膜電阻失效模式與失效機(jī)理分析
-電阻硫化失效
-片式電阻采用手工補(bǔ)焊工藝導(dǎo)致失效
-應(yīng)力失效
-電阻燒毀
2.3電感基本結(jié)構(gòu)及常見失效模式及案例
2.3.1疊層片式電感結(jié)構(gòu)、工藝流程與關(guān)鍵參數(shù)
2.3.2電感主要失效模式與失效分析方法
2.3.3典型失效案例分析
3、光電器件得典型失效機(jī)理及案例
3.1光耦/感光傳感器基本結(jié)構(gòu)及常見失效模式
3.2 LED基本結(jié)構(gòu)及常見失效模式
3.2.1 LED工作機(jī)理與結(jié)構(gòu)
3.2.2典型失效模式與機(jī)理
-芯片失效
-封裝失效（分層、工藝不良、腐蝕、銀遷移、鍵合）
-內(nèi)應(yīng)力失效（支架設(shè)計(jì)、熱應(yīng)力、濕應(yīng)力、收縮應(yīng)力）
-電應(yīng)力失效
-裝配失效
4、繼電器和連接器得典型失效機(jī)理及案例
4.1繼電器分類情況與基本參數(shù)
4.2典型失效模式與案例分析
4.3連接器得結(jié)構(gòu)組成、材料選擇與主要規(guī)格
4.4典型失效模式與案例分析
5、分立器件得典型失效機(jī)理及案例
5.1分立器件得原理和結(jié)構(gòu)
5.2 分立器件得應(yīng)用與可靠性
5.2.1二極管
-過壓擊穿
-二極管過熱/過功率燒毀
-二極管瞬態(tài)炸裂
5.2.2 MOS管
-MOS管得開關(guān)應(yīng)用
-MOS管緩啟動(dòng)應(yīng)用
5.3典型失效模式與案例分析
5.3.1 FET燒毀
5.3.2 MOS燒毀
5.3.3 PNP開關(guān)晶體管開路
5.3.4 MOS間歇性失效
5.3.5晶體管模封體開裂失效
5.3.6過壓擊穿
5.3.7 Leadframe不平整導(dǎo)致鍵合缺陷
5.3.8 MOS管鍵合異常導(dǎo)致柵源極漏電
6、集成電路得典型失效機(jī)理及案例
講師介紹
崔風(fēng)洲，美信副總經(jīng)理（美信檢測(cè)子公司）。工學(xué)碩士，畢業(yè)于哈爾濱工業(yè)大學(xué)材料物理與化學(xué)可以；華夏半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)委員、IPC620可能組成員 、首席IC故障分析可能 、華夏機(jī)械工程學(xué)會(huì)失效分析分會(huì)失效分析可能。具有15年以上得規(guī)模集成電路分析經(jīng)驗(yàn)，先后在多家跨國(guó)公司從事IC設(shè)計(jì)、封裝生成、成品組裝后失效分析和技術(shù)管理工作，尤其擅長(zhǎng)芯片功能失效得定位，故障激發(fā)方法得設(shè)計(jì)，對(duì)各種失效模式和機(jī)理有其深刻得見解。
培訓(xùn)詳情
培訓(xùn)時(shí)間：2021年10月30-31日
培訓(xùn)地點(diǎn)：深圳市寶安區(qū)石巖街道北大科創(chuàng)園A1二樓會(huì)議室
培訓(xùn)費(fèi)用：3600元/人。費(fèi)用包含培訓(xùn)、教材（彩色印刷限量版教材）、結(jié)業(yè)證書、發(fā)票等費(fèi)用，培訓(xùn)期間提供中午工作餐。晚餐、住宿及其他費(fèi)用自理。
報(bào)名方式：識(shí)別下方報(bào)名，或者聯(lián)系手機(jī)13392891259。
聯(lián)系方式
聯(lián)系人：劉久銘
電話：13392891259
電子：liujiuming等mttlab
固話：0755-36606281
